本發明涉及半導體技術領域,尤其涉及硅襯底上硅外延層厚度的測量方法,制備晶片樣品的橫截面和利用染色技術對硅襯底染色來區分硅襯底本體和硅外延層;所述染色技術應用的染色溶液由質量濃度為69%的硝酸與質量濃度為49%的氫氟酸按體積比為20:1配置而成和染色的時間為3?5秒。本發明提供的硅襯底上硅外延層厚度的測量方法,為了在晶片樣品的橫截面上把硅外延層和硅襯底本體明顯區分,使用本發明提供的化學染色技術對樣品進行染色,達到了檢測硅外延層厚度的目的。
聲明:
“硅襯底上硅外延層厚度的測量方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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