本申請公開了一種銦砷氮鉍半導體材料、使用該材料的激光器和探測器及制備方法,涉及半導體光電材料制備領域。所述材料包括:襯底層、緩沖層和銦砷氮鉍半導體材料。通過共摻雜方式,在InAs半導體中摻入一定濃度的Bi原子和N原子,可有效調節InAs材料的禁帶寬度,實現從近紅外到中紅外波段的覆蓋,應用于光電子器件。Bi原子的摻入可使材料更易生長并更加穩定,N原子的引入可以提高Bi的溶解度。在InAs半導體中同時摻入N原子,Bi原子可以有效調節化合物的能帶結構。本申請可采用常規分子束外延、金屬有機物化學氣相沉積等多種方法進行生長,結構和操作工藝簡單,易于控制。
聲明:
“銦砷氮鉍半導體材料、使用該材料的激光器和探測器及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)