一種淺溝槽隔離工藝的監測版圖,用于監測淺溝槽隔離的工藝窗口,包括:復數組圖案用于監測刻蝕工藝窗口,每一組圖案包括復數個間隔分布的線條圖形和開口圖形,線條圖形用于形成有源區,開口圖形用于形成淺溝槽隔離;一種應用所述監測版圖監測淺溝槽隔離工藝窗口的方法,包括:將所述監測版圖通過光刻刻蝕轉移半導體基底中形成溝槽,在所述溝槽中沉積介質層并進行平坦化,對刻蝕、沉積、平坦化后的半導體基底分別切割,形成斷面,可監測淺溝槽隔離工藝刻蝕、沉積、化學機械研磨的工藝窗口。
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“淺溝槽隔離工藝的監測版圖及監測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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