本發明涉及一種MEMS用硅單晶的缺陷檢驗方法。第一步:從預用單晶棒的頭尾切取硅片,加工成拋光片;第二步:模擬鍵合工藝的熱過程,將硅片在400℃~600℃條件下進爐熱處理3~5小時后取出;第三步:深度化學腐蝕,腐蝕時間為40~45min,腐蝕去除量為120~140μm時取出硅片;第四步:在硅片上畫格,再用金相顯微鏡觀察每一個方格,若存在直徑大于100μm的腐蝕坑,則判定為不合格;效果是:通過模擬MEMS工藝熱過程和深度化學腐蝕,能夠提前判定硅單晶是否合格。若硅片經歷熱過程和深度化學腐蝕后出現直徑大于100μm的較大腐蝕坑,此棵單晶棒則不投入生產,可避免硅片在制作器件工藝過程后發現失效,減小了損失。
聲明:
“MEMS用硅單晶的缺陷檢驗方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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