公開了一種用于在化學機械拋光制程中檢測終點的系統與方法,包括利用第一寬頻帶光束(132)照射晶片(300)表面的第一部分。接收第一反射光譜數據。第一反射光譜數據(308)對應于從晶片表面的第一照射部分反射的第一光譜的光。利用第二寬頻帶光束照射晶片表面的第二部分。第二反射光譜數據對應于從晶片表面的第二照射部分反射的第二光譜的光。將第一反射光譜數據和第二反射光譜數據標準化,基于標準化的第一光譜數據與第二光譜數據之間的差別來確定終點。
聲明:
“用于指示膜層變化的寬頻帶光學終點檢測系統與方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)