本發明提供一種淺溝道隔離結構中的孔洞缺陷的檢測方法,包括:提供一襯底,所述襯底中形成有淺溝道隔離結構,所述襯底上形成有多晶硅層;刻蝕所述多晶硅層以形成第一溝槽;形成鍺硅結構,同時,所述淺溝道隔離結構中形成孔洞缺陷;在所述多晶硅層上形成一介質層,并通過化學機械研磨、刻蝕、濕法清洗工藝去除介質層、多晶硅層、部分厚度的襯底以及部分淺溝道隔離結構以露出所述孔洞缺陷,并對所述孔洞缺陷進行檢測。在所述多晶硅層上形成介質層,并進行化學機械研磨工藝,減小了去除所述多晶硅層對所述襯底的壓應力,避免所述淺溝道隔離結構中的所述孔洞缺陷遭受擠壓,使得該孔洞缺陷的形貌保持完整,保證了該孔洞缺陷后續能夠完整地得到檢測。
聲明:
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