本發明公開了g?C3N4納米片在檢測VB12中的應用,采用電化學發光法檢測VB12,所述g?C3N4納米片作為電化學發光試劑;并公開了一種電化學發光法檢測VB12的方法。當VB12的濃度在0.01?105umol/L時逐漸增大時,g?C3N4納米片/K2S2O8體系的ECL強度與VB12的濃度成線性關系,最低檢測線為1.2nmol/L。與現有VB12檢測方法相比,本發明的檢測方法操作過程簡單方便,靈敏度高。
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