本發明涉及適用于薄膜形式的光伏應用的I-III-VI化合物的制造工藝,其包括以下步驟:a)在電極表面上電鍍薄膜結構,該電鍍薄膜結構由I族和/或III族元素組成,該電極形成基底(SUB);b)將至少一個VI族元素合并于該結構內,以便于獲得I-III-VI化合物。根據本發明,所述電鍍步驟包括檢測在接收沉淀的基底整個表面上的薄膜厚度均勻度,該厚度均勻度不能大于3%。
聲明:
“適用于基于改進電解條件的光伏應用Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ層的化學計量比控制” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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