本發明提供了一種對半導體晶片上的氧化硅和氮化硅進行拋光的方法,包括以下步驟,用第一含水組合物對氧化硅平化,該含水組合物包含0.01-5重量%的羧酸聚合物,0.02-6重量%的磨料,0.01-10重量%的聚乙烯基吡咯烷酮,0-5重量%的陽離子性化合物,0-1重量%的鄰苯二甲酸和鹽,0-5重量%的兩性離子化合物,余量為水,其中該聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量為100-1000000克/摩爾。該方法進一步包括,檢測平化終點,并用第二含水組合物清除氧化硅,該含水組合物包含0.001-1重量%的季銨化合物,0.001-1重量%的鄰苯二甲酸及其鹽,0.01-5重量%的羧酸聚合物,0.01-5重量%的磨料,余量為水。
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