本發明公開了基于配體化學的納米晶體激光熱致圖案化方法,屬于光電納米材料增材制造領域。該方法利用激光與納米晶體薄膜及基底作用,產生熱能引發配體分子發生交聯和分解等化學過程,從而使激光作用區域納米晶體膠體穩定性發生顯著變化實現納米晶體圖案化。該方法提出了一種基于配體熱化學反應的新圖案化機理,突破了現有納米晶圖案化方法難以制備較厚薄膜的局限,圖案厚度達8μm以上,不依賴于模板或基底形狀,是一種高效、可編程、適合大面積制備的納米晶體圖案化方法。該熱致圖案化方法相比光刻方法更好保持了納米晶體的光致發光等性質。本方法可應用于陣列式納米晶光檢測器、高清LED顯示等重要光電器件以及特定形狀納米晶體組裝體的構建。
聲明:
“基于配體化學的納米晶體激光熱致圖案化方法和圖案化納米晶體膜” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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