本發明實施例公開了一種半導體光電化學傳感器及其制備方法,該傳感器包括:工作電極、對電極、參比電極和電化學工作站;工作電極、對電極和參比電極分別與電化學工作站電連接,工作電極與對電極電連接,對電極與參比電極電連接;工作電極包括:導電基底和位于導電基底一側的圖案化半導體異質層,圖案化半導體異質層背離導電基底的一側表面包括多個微結構;工作電極與對電極平行對置,多個微結構面向對電極,參比電極位于對電極遠離工作電極的一側。本發明實施例提供的半導體光電化學傳感器,具有較高的響應速率及檢測極限,穩定性好且可重復性高,適合工業化批量生產。
聲明:
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