本發明涉及基于SiO2/PDA?Ag納米復合物減弱CeO2?CdS的腦利鈉肽抗原光電化學傳感器的制備方法。本發明以CeO2?CdS作為基底材料并用可見光照射來獲得光電流。CdS與CeO2能帶匹配良好,使光電轉換效率大大提高。SiO2/PDA?Ag納米復合物具有較大的空間位阻,其次Ag納米顆粒與基底CdS之間存在能量轉移,使光電響應實現雙重減弱,增加了光電響應的變化值,從而提高了該傳感器的靈敏度。根據不同濃度的待測物對光電信號強度的影響不同,實現了對腦利鈉肽抗原的檢測。其檢測限為0.05?pg/mL。
聲明:
“基于CeO2-CdS減弱型的腦利鈉肽抗原光電化學傳感器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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