本發明提供制造半導體器件的化學汽相淀積 (CVD)裝置, 包括 : 處理室; 為處理室供應處理氣體的處理氣體供 應管線; 廢氣排放管, 用于在處理后將處理室內的廢氣排放出去 清洗氣體供應管線, 用于向處理室內供應ClF3氣體; 取樣歧管, 用于利用壓力差從處理室內提取氣體樣品; 及QGA-QMS, 用于分析取樣氣樣, 并利用上述RGA-QMS通過分析, 根據處理室內的氣體流量、壓力和溫度優化結束點。
聲明:
“制造半導體器件的化學汽相淀積裝置及其驅動方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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