本發明公開了一種束流比例檢測方法及檢測設備。束流比例檢測方法包括:檢測第一束流的生長速率v1,檢測第二束流的生長速率v2,計算第一束流與第二束流的有效吸附束流比例N,N=v1/v2。采用本發明,可以精確的計算出分子束外延生長過程中第一束流與第二束流實際參與鍵合反應所吸附結合到樣品表面上的有效吸附束流比例,從而在實際試驗過程中,根據需求快速且準確的確定出合成符合一定化學計量比的化合物半導體材料的束流控制實驗參數,進而可以減少實驗的重復性和肓目性,提高實驗效率和生產效率。
聲明:
“束流比例檢測方法及檢測設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)