本發明提供了一種納米材料的高分辨成像裝置,其包括納米電化學控制模塊、高分辨電化學成像模塊和控制模塊;其中所述納米電化學控制模塊包括電化學工作站和電化學池,所述電化學池包括工作電極和三電極裝置;本申請還提供了利用上述高分辨成像裝置分析單顆粒水平納米材料的方法。本發明中利用高分辨表面等離子體相干散射成像裝置對納米材料在單粒子水平反應過程中不同位點進行成像和分析;該裝置具有靈敏度高、非侵入性等優點,能夠對不同種類納米材料的化學活性及電化學活性進行原位成像分析,為高通量篩選提供了重要的保證。
聲明:
“納米材料的高分辨成像裝置及其成像分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)