本發明公開了一種日盲紫外光電化學光探測器,包括光電極,其特征在于,光電極包括襯底,還包括生長在襯底表面的p型/n型摻雜氮化鎵(Gallium Nitride,簡稱GaN)基納米線。另外,通過在GaN基納米線上修飾助催化劑納米顆粒,優化了分子的吸脫附過程,提高了光電極在溶液中的氧化還原反應速率。同時,進一步優化光電化學裝置設計,改變電解質溶液環境,最終實現高響應度、靈敏度高、快速反應、經濟環保、自供能(無需外加額外電能)的新型日盲紫外光電化學光探測器。本發明開創性的將氮化鎵基納米線應用于光電化學光探測器的研究中,具有十分重要的意義。
聲明:
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