本發明涉及一種熱絲化學氣相沉積過程中光發射譜的測試方法及其裝置,屬于光譜研究技術領域。采用射頻激發,在熱絲化學氣相沉積制備硅薄膜的氣相中產生發光基元,通過雙狹縫、光纖、光譜儀來測量和分析射頻激發熱絲化學氣相沉積的光發射譜,認識氣相過程特征,指導薄膜制備。本發明裝置發射的光譜,能夠解釋氣壓變化和氣體流量等沉積參數的變化與微晶硅薄膜沉積速率和微結構的關系,是研究HWCVD氣相過程的有效方法之一。本方法和裝置操作簡單,易于實現,數據重復可靠,可應用于太陽電池、微電子等領域中涉及到熱絲化學氣相沉積的薄膜制備技術中。
聲明:
“熱絲化學氣相沉積過程中光發射譜的測試方法及其裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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