本發明提供一種化學機械研磨機臺及方法、缺陷檢測方法,包括:研磨裝置,用于對晶圓進行研磨;清洗裝置,用于對研磨后的晶圓進行清洗;缺陷掃描裝置,用于對清洗后的晶圓進行檢測;晶圓傳輸裝置,用于晶圓在研磨裝置和清洗裝置之間以及清洗裝置和缺陷掃描裝置之間的傳輸。利用機臺中的缺陷掃描裝置直接對清洗后的晶圓進行檢測,缺陷掃描裝置檢測不合格的晶圓不需要經過光學特征尺寸測量、晶圓的最大厚度與最小厚度的絕對差值測量以及彎曲度測量等,以及后續良率提升階段的檢測,縮短晶圓的循環時間。并且由于利用缺陷掃描裝置能夠有效檢測晶圓表面的缺陷,減少進入良率提升階段缺陷晶圓的數量,從而能夠縮短晶圓的檢測時間,提高晶圓的檢測效率。
聲明:
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