本發明涉及一種原位分子印跡修飾電極對多環芳烴的光電化學分析方法,所述方法包括基于分子印跡功能化的ZnONRs@TiO2NTs電極的制備方法,以及采用該修飾電極用于對多環芳烴(PAHs)的高選擇性、高靈敏的檢測方法。與現有技術相比,本發明采用原位分子印跡ZnONRs作為選擇性識別元素,在TiO2NTs上獲得了單晶分子印跡型ZnONRs,具有良好的印跡效果,而且印跡分子PAHs本身具有共軛結構,有利于增強電極的光電性能。在紫外光的照射下,可以選擇性的檢測不同PAHs,對于萘和芘等PAHs檢測限達到10-9mol·L-1數量級,電極穩定,且具有良好的重現性。
聲明:
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