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集成MOSFET及二極管的半導體裝置

1041   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 00:26:42
本發明公開了一種集成MOSFET及二極管的半導體裝置,包括基底,基底的上端設置有漂移層,漂移層的上端設置有支撐層,支撐層的上端設置有導電部,導電部的右側設置有連通部,連通部的右側設置有出電部。本發明通過通過兩個接觸層傳導電壓,即使當其中一個接觸層長期使用后失效,也可以通過另一個接觸層進行電壓傳導,導電陶瓷材質的陶瓷導電板在起到了導電效果的同時,保證了較好的結構剛性,當通過較強的電壓時,不會被高電壓擊穿,起到了保護效果,圓板內部的鎳錳酸鋰是一種高抗壓材料,當通過高電壓的時候,不會將第一導電管和第二導電管損壞,延長了第一導電管與第二導電管的使用壽命。
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“集成MOSFET及二極管的半導體裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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