本發明提供了一種復合型二氧化鈦薄膜及其制備方法與應用。所述復合型二氧化鈦薄膜的制備方法包括的步驟有:將二氧化鈦靶材和能量密度貢獻主體元素靶材在惰性氣氛下進行共濺射處理,在基體上生長復合型二氧化鈦薄膜。本發明復合型二氧化鈦薄膜的制備方法將二氧化鈦靶材和能量密度貢獻主體元素靶材直接采用共濺射法沉積形成。使得生長的復合型二氧化鈦薄膜具有界面電阻小的特性,而且可以減少和阻止電解液與能量密度貢獻主體之間的不可逆副反應,減少固體電解質膜(SEI)的產生,減輕周期性體積變化的應力,保持鋰離子嵌入/脫出過程中的結構穩定性。另外,所述制備方法有效保證生長的復合型二氧化鈦薄膜化學性能穩定。
聲明:
“復合型二氧化鈦薄膜及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)