本發明公開了一種SnO2納米線陣列的制備方法,包括以ITO玻璃為襯底,采用水熱法進行SnO2納米線陣列生長,所述的SnO2納米線陣列中SnO2納米線的長徑比為4~12,所述的SnO2納米線陣列中SnO2納米線的直徑為50~100nm,SnO2納米線的長度為400~600nm。本發明所得的SnO2納米線陣列結構是由金紅石結構的SnO2單晶納米棒構成,從微觀結構上看,SnO2納米線陣列排列致密,均一性好,可以用作場發射、光催化、氣敏傳感器和鋰離子電池負極材料。
聲明:
“SnO2納米線陣列的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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