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SnO2納米線陣列的制備方法

991   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 00:17:43
本發明公開了一種SnO2納米線陣列的制備方法,包括以ITO玻璃為襯底,采用水熱法進行SnO2納米線陣列生長,所述的SnO2納米線陣列中SnO2納米線的長徑比為4~12,所述的SnO2納米線陣列中SnO2納米線的直徑為50~100nm,SnO2納米線的長度為400~600nm。本發明所得的SnO2納米線陣列結構是由金紅石結構的SnO2單晶納米棒構成,從微觀結構上看,SnO2納米線陣列排列致密,均一性好,可以用作場發射、光催化、氣敏傳感器和鋰離子電池負極材料。
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