本發明提供了一種利用焦耳熱制備單質硅的方法,屬于鋰離子電池負極材料制備技術領域。本發明利用焦耳熱制備單質硅,焦耳熱具有快速升溫,快速加熱的優點,并且能夠保證加熱的均一性,因此,本發明可快速制備單質硅。本發明得到第一粗硅后,將所述第一粗硅升溫至1100~1300℃進行第二保溫,可以實現副產物硅化鎂分解,實現粗硅的第一次提純,然后升溫至1500~2000℃可以實現鎂的快速蒸發,實現二次提純,因此,本發明制備的單質硅具有較高的純度,不存在后處理不安全的問題。
聲明:
“利用焦耳熱制備單質硅的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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