本發明公開了一種InSb多晶薄膜負極材料的制備方法及其應用,所述InSb多晶薄膜負極材料為閃鋅礦結構的InSb晶體。本發明通過磁控濺射沉積的方式制備了InSb薄膜負極,該材料在充放電循環過程中始終保留整體閃鋅礦結構(),并且僅存在極小的體積變化,因此能夠在擁有較高容量的情況下穩定循環。本發明提供的InSb多晶薄膜負極材料在30℃條件下首次充電容量為561.8mAh/g,在800次循環后仍有534.6mAh/g的容量,容量保持率高達95.2%。本發明提供的InSb多晶薄膜負極材料在?50℃條件下首次充電比容量為511.9mAh/g,在250次充放電循環后仍有348.3mAh/g的容量,容量保持率為68.1%。本發明提供的InSb多晶薄膜負極材料在低溫下仍具有快速脫嵌鋰的特性。本發明提供的InSb多晶薄膜負極材料具有高容量,高倍率,高穩定性,高耐熱沖擊性的優勢。
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