本發明屬于納米材料制備的技術領域,具體涉及一種WS2納米片修飾的TiN納米管陣列復合材料及其制備方法。本發明對WS2粉末進行鋰插層處理,得到金屬型WS2納米片,然后配制金屬型WS2納米片的DMF溶液;將金屬型WS2納米片進行高溫熱處理,得到半導體型WS2納米片,然后配制半導體型WS2納米片的DMF溶液;將TiN納米管陣列材料置于金屬型WS2納米片或半導體型WS2納米片的DMF溶液中,依次進行超聲處理、浸泡、干燥,得金屬型WS2納米片或半導體型WS2納米片修飾的TiN納米管陣列復合材料。本發明的WS2納米片修飾的TiN納米管陣列復合材料有望在電催化領域得到廣泛應用。
聲明:
“WS2納米片修飾的TiN納米管陣列復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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