本發明屬于多孔硅材料的合成領域,具體涉及一種鎂熱還原制備多孔硅的方法。該方法以硅的氧化物SiOx(x=0.5-2)為原料,通過鎂熱還原反應生成硅和氧化鎂的混合物,再使用酸選擇性溶解掉氧化鎂,最終獲得自支撐的多孔硅材料。本發明提供的方法相對于以往傳統的電化學陽極腐蝕方法,避免使用價格昂貴的單晶硅片,而采用簡單易得且成本較低的硅氧化物作為原料,既降低了成本又提高了產量,且制備工藝簡單、環境友好、制備效率高、重復性好,更適合工業化生產,有望在鋰離子二次電池、光電材料、生物醫藥和氣敏器件等領域廣泛應用。
聲明:
“鎂熱還原制備多孔硅的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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