本發明提供一種孔隙結構可調的硅基電極,所述硅基電極孔隙率為30%~60%,所述硅基電極的孔隙結構通過控制電極的壓實密度和添加造孔添加劑來調節,所述造孔添加劑為碳酸銨、碳酸氫銨、醋酸銨、硝酸銨、氯化銨中的一種或幾種。本發明還提出所述硅基電極的制備方法。本發明通過改變壓實密度控制電極的孔隙率,適宜的孔隙率可與高比容量硅碳負極材料嵌鋰態的體積膨脹率一致,使電極在循環過程中保持結構的完整性;可變孔隙結構的高容量硅基負極電極可以有效緩沖硅的體積變化,提高鋰離子和電子的擴散速度,明顯改善電極的循環穩定性,提高電極的大電流放電性能。
聲明:
“孔隙結構可調的硅基電極及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)