本發明公開了一種富有硫空位缺陷的VS2?x材料的制備方法,采用水熱和煅燒法合成,利用水熱過程中添加CTAB構造缺陷,通過調控CTAB的量調控缺陷多少,獲得富有硫空位的微米花狀VS2?x材料,工藝簡單、成熟,結果穩定;本發明制備的富有硫空位缺陷的VS2?x材料作為鋰離子電池正極材料,在0.1A/g電流密度下容量為140mAh/g,表現出高容量的儲鋰性能,同時具有高贗電容的儲鋰機制。
聲明:
“富有硫空位缺陷的VS2-x材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)