本發明公開了一種帶氮化硅層的單晶薄膜及其制備方法,從上至下包括氮化硅層、鈮酸鋰薄膜層、氧化硅層和硅襯底層;本發明的帶氮化硅層的單晶薄膜,由于氮化硅有好的絕緣效果和寬的光學透過窗口,作為光波導傳播層,與鈮酸鋰薄膜有更好的匹配性、高的模式限制、低的傳播損耗和高功率處理能力;本發明的帶氮化硅層的單晶薄膜的制備方法,氮化硅波導采用LPVCD沉積制成,并和鈮酸鋰調制器進行集成,可以得到集成度高、寬帶寬、損耗低的波導器件;本發明的制備方法適用于工業生產,成品率高。
聲明:
“帶氮化硅層的單晶薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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