提供了一種用于減輕DC偏壓漂移的鈮酸鋰調制器結構(30),其包括圖形化在具有一個或多個DC部分(38,40)和RF部分(42)的光波導(34)上的重摻雜半導體層(44,54),其中金屬層或觸點(50)與半導體層(44,54)的一部分相接觸并且在RF部分(42)中淀積緩沖層(46)。還提供了一種用于制作具有上述結構的鈮酸鋰光電調制器的方法。
聲明:
“具有基于摻雜半導體金屬接觸的偏壓電極的用于減輕DC偏壓漂移的光電調制器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)