一種a面和m面GaN薄膜材料的控制生長方法,在MOCVD系統中用鋁酸鋰做襯底生長a面或m面的GaN材料,在MOCVD系統中對生長的(302)和(100)鋁酸鋰襯底在500-1050℃溫度下進行材料熱處理,時間為10-60分鐘,或然后通入氨氣進行表面氮化,時間為10-60分鐘;然后在500-1050℃溫度范圍通入載氣H2和或N2,NH3氣以及金屬有機鎵源,金屬有機鎵源流量為1-50sccm;NH3氣500-7000sccm;N與Ga之摩爾比為500-3000,在(302)或(100)鋁酸鋰襯底上合成生長a面或m面的GaN材料,生長溫度500-1050℃溫度下,時間為10-60分鐘。本發明GaN薄膜具有更好的應用價值,且薄膜厚度可以控制。
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