本發明涉及一種能源技術領域的用于鋰電池的二氧化錫納米線陣列電極的制備方法,以錫粉為原料、IV~VI族單體作為納米線生長方向誘導劑,以貴金屬作為催化劑,在800~1300℃范圍內,常壓下熱蒸發,在硅基底上得到二氧化錫納米線陣列。本發明首次提出使用IV~VI族單體作為生長方向誘導試劑,使納米線以氣液固(VLS)機制在表面能較高的(001)面優先呈陣列生長,從而得到規則、有序、較長的二氧化錫納米線陣列。該納米線陣列適用于高性能鋰電池電極。
聲明:
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