一種在鋁酸鋰晶片上制備非極性GaN厚膜的方法,包括:方法一:用(302)面γ-LiAlO2作為襯底,用氫化物氣相外延方法制備面()面GaN厚膜。方法二:用(302)面γ-LiAlO2作為襯底,通過金屬有機化學氣相沉積方法預先在(302)面γ-LiAlO2襯底上制備出GaN薄膜,形成()GaN/(302)γ-LiAlO2復合襯底,在此復合襯底上再用氫化物氣相外延方法制備a面()GaN厚膜;剝離(302)面γ-LiAlO2襯底后可制備出具有自支撐襯底的非極性的()GaN厚膜。本發明的非極性a面GaN厚膜可用于GaN的同質外延生長以及非極性III族氮化物器件的制備。
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