本發明提出一種鉭酸鋰晶片異質鍵合的方法,包括以下步驟:將單晶硅片與鉭酸鋰晶片相對設置,保持單晶硅片表面的薄膜層與鉭酸鋰晶片相對設置,放入鍵合機;中溫加熱,并維持至少1h,完成一次鍵合,形成一次鍵合體;將一次鍵合體放入退火爐,高溫加熱退火,完成二次鍵合;其中,單晶硅片表面的薄膜層與碳酸鋰晶片層為異種材質;發明采用中溫一次鍵合之后,又基于兩種材質熱膨脹系數不同的特性,設計了高溫二次鍵合,即退火工藝,通過退火改變兩層之間的結合鍵的類型,增強兩層之間的結合力,避免層與層之間的剝離。
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