本發明公開了一種基于金剛石晶格的半導體材料,涉及半導體技術領域。所述半導體材料為在所述襯底表面均勻鋪設含有鋰元素的粉末,以含碳和含氮的混合氣體作為氣體源,采用化學氣相沉積法在襯底上生長出的薄膜,另外,本發明還提出一種相應的制造設備。本發明能夠阻止鋰原子摻入金剛石后擴散聚集成鋰團簇,保證了鋰原子在晶格中的活性狀態。
聲明:
“基于金剛石晶格的半導體材料及其制造設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)