本發明公開了一種摻氧化鎂同成分鈮酸鋰晶片,其中氧化鎂含量為5.5~6.5mol%,晶片厚度0.5~3mm。本發明還公開了所述摻氧化鎂同成分鈮酸鋰晶片的制備方法,首先是應用提拉法生長摻鎂濃度為5.2~6mol%、適量富鈮的鈮酸鋰晶體,晶體經過退火極化處理,再切割成晶片,將切割晶片埋入摻鎂濃度為5.5~6.5mol%的同成分鈮酸鋰粉料中,再在1000℃~1150℃溫度下恒溫20~40小時進行擴散熱處理,即得到所述摻氧化鎂同成分鈮酸鋰晶片。本發明制備的摻氧化鎂鈮酸鋰晶片成分均勻,折射率分布均勻,摻鎂濃度高,鈮鋰比接近同成分配比,內部缺陷少,電疇反轉電壓較低,適合批量化的PPLN器件技術要求。
聲明:
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