本發明涉及一種雙導電層包覆內嵌尖晶石的富鋰錳基正極材料及其制備方法和應用。所述尖晶石晶疇均勻分散在富鋰錳基晶粒內,質量和占所述富鋰錳基正極材料的質量分數為0.5%?10%,可提供3D離子通道。所述雙導電層為源于氟化石墨的石墨化碳層以及LiF層,雙導電層質量和占所述富鋰錳基正極材料的質量分數為1%?10%。
聲明:
“雙導電層包覆內嵌尖晶石的富鋰錳基正極材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)