本發明屬于納米陣列LED生長與制備的技術領域,公開了生長在鎵酸鋰襯底上的納米柱LED及其制備方法。所述生長在鎵酸鋰襯底上的非極性納米柱LED包括LiGaO2襯底,生長在LiGaO2襯底上的GaN納米柱陣列,生長在GaN納米柱陣列上的非摻雜GaN層,生長在非摻雜GaN層上的n型摻雜GaN層,生長在n型摻雜GaN層上的InGaN/GaN量子阱,生長在InGaN/GaN量子阱上的p型摻雜GaN層;所述GaN納米柱陣列為非極性GaN納米柱陣列。本發明所選擇的鎵酸鋰襯底材料成本低廉,所制備的納米柱陣列尺寸可控,取向均一,所獲得的非極性納米柱LED的缺陷密度低、電學和光學性能優良。
聲明:
“生長在鎵酸鋰襯底上的非極性納米柱LED及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)