本發明涉及一種光伏材料及其制備方法;特別涉及一種硒硫化銻薄膜材料及其制備方法,屬于新能源材料制備技術領域。本發明所述光伏材料的化學式為Sb2(SxSe1-x)3,其中x的取值范圍為0< x< 1。其制備方法為:先在基底上通過濺射的方法制備硫化銻預制層,在一定條件下進行硒化退火,得到硒硫化銻薄膜材料。本發明首次設計并提出濺射硫化銻預制層后硒化制備硒硫化銻半導體薄膜材料的方法,制備出的硒硫化銻薄膜材料結晶性好、成分可控,薄膜的致密度高、體積膨脹小,避免現有方法制備半導體薄膜材料過程中存在的成分不易控制、均勻性欠佳及易產生不利雜相等問題,且該方法對設備的要求不高,易于實現產業化,在生產中可以大規模推廣。
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