本發明涉及光電探測器件技術領域,尤其涉及一種基于CsI離子摻雜空穴傳輸層的高性能自供電鈣鈦礦型光電探測器及其制備方法。一種基于CsI離子摻雜空穴傳輸層的高性能自供電鈣鈦礦型光電探測器,主要由依次設置的襯底、導電陰極、電子傳輸層、鈣鈦礦光活性層、空穴傳輸層、修飾層和金屬陽極組成,所述空穴傳輸層材料為Spiro?OMeTAD。本發明使用了溶液處理方式,在Spiro?OMeTAD溶液中引入了少量的CsI,有效地抑制了Spiro?OMeTAD膜的聚集和水解,減少了針孔和空洞,增強空穴傳輸層的載流子萃取能力及遷移率,顯著提高了光電探測器的檢測率和穩定性。該制備過程簡單,極大降低器件成本。
聲明:
“基于CsI離子摻雜空穴傳輸層的高性能自供電鈣鈦礦型光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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