本發明屬于半導體光電子器件技術領域,具體為一種高性能鈣鈦礦/有機半導體光電探測器。本發明光電探測器通過疊層制備工藝制備,其結構由下至上依次為:透明底電極層,有機半導體和鈣鈦礦功能層,頂電極層;其中,有機半導體和鈣鈦礦功能層由下至上依次為空穴型有機半導體、鈣鈦礦、空穴型有機半導體,或者為電子型有機半導體、鈣鈦礦、電子型有機半導體;鈣鈦礦和有機半導體層構成兩個異質結;頂電極為金屬金或者金屬銀。該光電探測器響應光譜寬,對全波段的可見光譜具有響應,結構簡單,工作電壓0.7V,且具有電壓飽和特性,能夠有效抑制電壓噪聲對探測器性能的影響。
聲明:
“高性能鈣鈦礦/有機半導體異質結型光電探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)