本申請屬于光電器件技術領域,尤其涉及一種電子傳輸材料,所述電子傳輸材料具有核殼結構包括:ZnO核,以及包覆所述ZnO核的ZrO2殼層。本申請電子傳輸材料具有核殼結構,寬帶隙半導體ZrO2殼層,可提高了核殼結構納米晶復合材料的穩定性,有利于電子的傳輸。同時,當電子傳輸材料應用于光電器件時,ZrO2的寬帶隙可以有效的阻擋空穴從發光層傳輸到陽極,從而使電子和空穴在發光層中有更高的復合效率。并且,ZrO2殼層可以填補ZnO表面的氧空位,減少ZnO表面的氧空位,從而降低ZnO表面氧缺陷的形成,減少電子空穴對的輻射組合,提高電子傳輸性能,增強器件的發光效率。
聲明:
“電子傳輸材料及制備方法、光電器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)