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超高溫陶瓷粉體表面原位生長SiC納米線的方法

1183   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 17:51:43
本發明涉及高溫結構陶瓷材料技術領域,且公開了一種超高溫陶瓷粉體表面原位生長SiC納米線的方法。通過葡萄糖的水熱反應在超高溫陶瓷粉體表面制備一層碳涂層,再將上述含有涂層的超高溫陶瓷粉體與Si和SiO2混合粉體置于管式爐中在流動氬氣保護氣氛下進行加熱和保溫,即可獲得原位生長SiC納米線的超高溫陶瓷粉體。本發明利用Si和SiO2粉體在高溫下反應生成的SiO氣體與超高溫陶瓷粉體表面的碳涂層原位反應生成SiC納米線。這種方法可以在超高溫陶瓷粉體中均勻地引入SiC納米線,為SiC納米線增強/增韌超高溫陶瓷復合材料提供了新途徑。
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