本發明公開了一種抑制鈣鈦礦探測器暗電流的方法,該方法是通過向鈣鈦礦材料中摻雜痕量的高價陽離子,該高價陽離子的價態高于鈣鈦礦ABX3結構中的B位元素的價態,這些高價陽離子與鈣鈦礦材料中所含的B位元素兩者的原子比不高于10?5:1,從而降低鈣鈦礦材料的載流子濃度,并降低以該鈣鈦礦材料作為活性材料的探測器的暗電流。本發明通過控制摻雜元素的種類,尤其通過對摻雜元素濃度的調控,向鈣鈦礦活性層材料中摻雜痕量的高價陽離子,能夠有效解決現有技術鈣鈦礦探測器中存在的暗電流高和靈敏度低的問題,并解決靈敏度、工作偏壓、穩定性和環境污染等指標不能兼顧的問題,獲得高性能、穩定的半導體探測器。
聲明:
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