本發明公開了一種表面原位生成納米SiC的復合CNTs的制備方法,通過同步超聲分散和機械攪拌,在PVP乙醇溶液中將特定比例的納米硅粉均勻粘附于CNTs表面,然后通過原位反應在CNTs表面生成一層納米級厚度的SiC,形成具有芽桿或殼芯結構的SiC/CNTs復合材料。本發明方法制備的SiC/CNTs材料不破壞CNTs的結構,且能保證CNTs和SiC的分散均勻性,在基體材料中將減少CNTs與基體之間的直接接觸,調控CNTs與基體之間的界面反應,增強CNTs與基體之間的界面結合,在提高金屬基體力學性能的同時保留基體良好的導電、導熱以及高延性。
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