本發明提供一種基于鈣鈦礦n?i?n結的窄帶光探測器結構及制備方法,涉及光電探測領域,本發明包括本征鈣鈦礦晶體作為γ光子吸收層,以及在其兩側生長的n型外延層。所述本征鈣鈦礦晶體為探測光譜段光子的吸收層,吸收層的能量帶隙Eg2=hc/λmax,h是普朗克常數,其中c是光傳播速度,λmax是設計探測光譜的峰值響應波長;利用鈣鈦礦n?i?n異質結的不同能量帶隙,使得設計探測光譜內的入射光子具有較高的吸收系數,從而提高了窄帶探測的量子效率,利用n?i?n結的耗盡層調控探測器的電場分布,將n?i?n結能帶結構和電場分布相結合,調控光生載流子的輸運和復合,獲得較小的探測譜線寬度,以及較高的光譜抑制比。
聲明:
“基于鈣鈦礦n-i-n結的窄帶光探測器結構及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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