本申請公開一種提高交、直流擊穿性能的絕緣介質及其制備方法,絕緣介質包括以下質量分數的組分:99.6?100%半結晶聚合物材料和0?0.4%填料;半結晶聚合物材料包括低密度聚乙烯;填料包括酚酞粉末。本申請通過酚酞摻雜對半結晶聚合物絕緣介質進行改性,酚酞摻雜改變半結晶聚合物絕緣介質的微觀結構(結晶度、球晶尺寸、片晶厚度等),制備出復合絕緣介質材料的結晶行為和陷阱參數發生較大變化,結晶度有所提高,球晶尺寸明顯減小,片晶厚度增大,陷阱能級增大。微觀結構及陷阱參數的改變影響復合材料的交、直流擊穿特性。本申請可以顯著提高半結晶聚合物絕緣介質的交、直流擊穿場強,且工藝難度低、可操作性強及可靠性高,能夠廣泛運用于高壓絕緣材料領域。
聲明:
“提高交、直流擊穿性能的絕緣介質及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)