本發明公開了一種制備中空多孔的復合硅碳材料的方法,以氧化亞銅作為犧牲模板,在氧化亞銅包覆的納米硅顆粒表面生長三維類沸石咪唑框架,同步刻蝕掉氧化亞硅后即得到中空多孔、蛋黃-外殼三維結構的硅碳復合材料。本發明制備的中空多孔的硅碳材料在熱解碳外殼的內部預留出了給納米硅顆粒膨脹收縮的空間,既保證了納米顆粒不會團聚,也使得SEI大部分形成于碳殼之外,較為穩定,并且ZiF-8熱解形成碳殼具有大量空洞,有利于材料的倍率性能。對比已報道的合成硅碳復合材料的方法,本方法的優勢在于合成方法簡單,原料廉價易得,制備的中空多孔的硅碳材料擁有較好的循環性能與比容量。
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