本發明屬于二硫化鉬復合材料的制備領域,具體涉及一種分等級結構MoS2@rGO的制備方法。將hummers方法制備的氧化石墨烯和Mo3O10(C2H10N2)分散于去離子水中,超聲0.5h后,加入L?半胱氨酸,經水熱反應后,再經離心、洗滌、干燥,將得到的產物在惰性氣氛下煅燒即得MoS2納米片垂直生長在石墨烯表面的MoS2@rGO。該制備方法簡單,重復性好,有利于大規模生產,具有潛在的應用價值。
聲明:
“分等級結構MoS2@rGO的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)