本發明公開一種中空結構的碳包覆硅負極材料的制備方法,包括:對銅粉進行清洗,得到預處理銅粉;將硅烷偶聯劑、有機溶劑按照質量比1:1加入去離子水中溶解形成硅烷化處理液;將預處理銅粉加入硅烷化處理液中,在水浴加熱條件下充分攪拌,靜置、干燥得硅烷化銅粉;將硅烷化銅粉、有機碳源和溶劑混合均勻,干燥得到前驅物;初步燒結得硅/碳/氧化銅復合材料;經酸洗溶液去除其中的金屬離子,得到中空結構的硅/碳復合材料;二次燒結處理即可得到中空結構的碳包覆硅負極材料。本發明制備的負極材料中的硅能夠均勻分布在碳包覆層的內層,中空的結構能夠有效抑制硅充放電過程中的硅體積效應,有效提高材料的循環穩定性。
聲明:
“中空結構的碳包覆硅負極材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)